Skip to main content Skip to primary navigation

Halbleiterprozesse und -produkte

Im Zuge des Fortschritts von Funktionalität und Zuverlässigkeit elektronischer Geräte, welcher Veränderungen in der Systementwicklung und -integration erfordert, werden Materialien, Chemikalien und Hilfsstoffe in Bezug auf Leistung, Kosteneffizienz und Zuverlässigkeit stetig angepasst. 

Um diesen Anforderungen gerecht zu werden, hat sich der Umicore-Geschäftsbereich Electroplating mit SHINHAO Materials zusammengeschlossen, um innovative, patentierte Additive* für die Kupfergalvanisierung für die moderne Advanced Packaging Industrie anzubieten. Das modulare Additivsystem IntraCu®* von SHINHAO ist ein integraler Bestandteil unseres gemeinsamen Produktangebots. Es wird in einer hochmodernen Reinraumumgebung hergestellt, um die Qualitätsstandards der Halbleiterindustrie zu erfüllen. Weitere Produkte kompletieren besondere Eigenschaften und Bedürfnisse. Umicore's Kupfer(II)oxid und Anoden- und Kathodenlösungen für ECD-Equipment ergänzen unser Produktangebot und unterstreichen unsere Kompetenz im Segment Advanced Packaging.

Zur Abrundung unseres Portfolios im Bereich Halbleiterprozesse steht Ihnen unsere Business Line Thin Film Products zur Verfügung. Diese entwickeln, fertigen und liefern erfolgreich hochwertige Aufdampfmaterialien und Sputtertargets für Dünnschichtanwendungen in den Bereichen Advanced Packaging, Compounds, Mikrosysteme und Silizium-Frontend-Segmente.

Wählen Sie, wohin Sie schnell navigieren möchten oder scrollen Sie nach unten für den gesamten Inhalt:

Unsere modularen Additive wurden entwickelt, um den höchsten Anforderungen der Halbleiterindustrie im Advanced Packaging gerecht zu werden und bieten die Grundlage für die Abscheidung kundenspezifischer Materialeigenschaften, z.B. für Microbumps in IC-Packages, RDL im Wafer Level Packaging und Pillar im Flip-Chip-Packaging.

IntraCu® SC-2*

Das System bietet den Kunden die Möglichkeit, die Gesamtbetriebskosten zu senken, indem sie ihr Prozessfenster erweitern. Darüber hinaus handelt es sich um ein echtes 2in1-Verfahren, das keine oder nur eine geringe Anzahl von Kirkendall-Voids (KV-less) erzeugt. Das System ist ein direkter Ersatz für die aktuellen POR-Angebote.

1000 hrs @ 175 C

System Anwendungen

  • 2-in-1 glänzendes Kupfer (Cu pillar and RDL)
  • 2-in-1 für geringste Anzahl an Kirkendall voids

System Besonderheiten

  • Glänzendes Kupfer, Ra < 0.03 µm
  • ±50% Prozessfenster für Cu Pillar and RDL
  • Total in-film Organik < 11 ppm
  • Geringste Ausbildung von Kirkendall-voids

IntraCu® SC-6*

Das System bietet Kunden die Möglichkeit, Produkte herzustellen, die in Zukunft thermische und mechanische Stabilität erfordern, so dass feine Linien/Strukturen bei späteren Verpackungs- und Montagevorgängen nicht brechen. Insbesondere bei TAIKO-Wafern gewährleistet das Verfahren, dass keine Verformungen/Beschädigungen auftreten. Auf Glas- oder Keramiksubstraten bieten IntraCu® SC-6 Cu-Schichten beste Haftung durch geringe innere Spannungen der Kupferschicht.

Keine/geringe Belastung der IntraCu® SC-Schichten

8 Zoll Blanket Wafer, einseitig mit 20 µm beschichtet, Verzug < 10 µm

Normalisierte Dehnung (%)
Normalisierte Zugspannung (MPa)

IntraCu® SC-4*

Das System wurde speziell entwickelt, um die morphologischen Anforderungen für das "Cu2Cu-Direktbonden" in 3D zu erfüllen, da es eine einzigartige Kornstruktur aufweist. Die Morphologie bleibt nach thermischen Ausschlägen weitgehend unverändert und bildet die Grundlage für eine optimale Einheitlichkeit der Pad-Höhe, die eine weitere Skalierung der Leiterbahnabstände beim W2W-Bonden ermöglicht. 

FIB-polierte Mikrostruktur
EBSD-Kornabbildung

IntraCu® VF-9*

Ein Cu-Beschichtungsverfahren zum gleichzeitigen Füllen von Blind Vias und Reproduzieren von Fine-Line-RDL mit hervorragender Dickenverteilung, das speziell für PLP-Anwendungen entwickelt wurde.

Micro Via Test 30 µm Durchmesser, 20 µm Tiefe
RDL 2/2 L/S

AURUNA® SC

Ein cyanidfreier galvanischer Goldelektrolyt zur Abscheidung von Gold mit einer Reinheit von 99,99 %. Das Verfahren ist für feinteilige RDL-Wafer und Bump Plating geeignet. Durch den neutralen pH-Bereich ist AURUNA® SC mit den meisten gängigen Resisttypen für diese Anwendung kompatibel. Der Prozess bietet einen sehr breiten Stromdichtebereich und ist sehr stabil (bis zu 1,2 A/dm²).

Bump-Plating auf der Teststruktur

NiRUNA® SC

Ein System auf Sulfamatbasis mit sehr geringer Belastung, borsäurefreie Version erhältlich.

ARGUNA® SC

Ist eine milde alkalische cyanidfreie Reinsilberbeschichtung. ARGUNA® SC Schichten weisen eine Reinheit von mehr als 99 % auf und bieten Widerstandsfähigkeit und Lötbarkeit in Cyanidsystemen. Das Verfahren zeichnet sich durch eine breite Kompatibilität mit den meisten Resisttypen aus.    

Umicore Tin SC

Reine Sn-Beschichtungsverfahren arbeiten mit einem breiten Stromdichtebereich. Die Sn-Beschichtungen sind sehr rein und haben eine geringe Neigung zum Whiskerwachstum. Sehr stabiles Elektrolytsystem auf Basis von MSA. 

Umicore Indium SC

Umicore Indium SC-Systeme scheiden reine Indiumschichten über einen sehr breiten Stromdichtebereich ab. Das stabile Elektrolytsystem ist vollständig analysierbar und weist sehr gute Abdeckeigenschaften und eine gleichmäßige Korngröße auf.

Typisches Korngefüge Umicore Indium SC

Die hochreinen Umicore-Kupferoxid-Metalloxidpulver werden in Übereinstimmung mit den anspruchsvollen Anforderungen der modernen advanced packaging Industrie entwickelt, hergestellt und qualitätsgeprüft. In Kombination mit dem ancosys DMR®-Konzept (Direct Metal Replenishment) ist eine Reinraumnutzung möglich, die niedrigere Betriebskosten für die Cu-Ergänzung zusammen mit einer Leistungssteigerung des Elektrolyten durch höhere Cu-Konzentrationen ermöglicht.

Keine VMS erforderlich

  • H2SO4-Konzentration bleibt konstant. Stabiles Elektrolytvolumen, regelmäßige Ergänzung und Verwerfung von Elektrolyt nicht notwendig
  • Mehrere Sorten (4N, Packaging)
  • Vollständige Rückverfolgbarkeit, nur eine Quelle für Cu
     

Kosteneffizienz

  • Reduzierung der Anlagenstillstandszeit, Unterstützung wartungsfreier Galvanisierzellen
  • 50% geringere Kosten pro kg Cu im Vergleich zu VMS
  • 15% höhere Geschwindigkeit durch höheren Cu-Gehalt  (60g/l i/o 50g/l)

Unlösliche Anoden tragen nachweislich dazu bei, die Prozesseffizienz zu steigern, die Prozesskosten zu senken, die Umweltauswirkungen zu reduzieren und den Aufwand für die Prozesskontrolle bei Beschichtungswerkzeugen für Advanced Packaging zu verringern. Das Hauptunterscheidungsmerkmal der Umicore PLATINODE® ist die einzigartige Schichtperformance aufgrund des Herstellungsverfahrens unter Verwendung einer Salzschmelze, die ultrahohen Reinheit, geringe Porosität und beste Duktilität selbst bei hohen Pt-Schichtdicken ermöglicht.

  • Funktion: Bereitstellung der klassenbesten Duktilität und chemischen Beständigkeit aufgrund der einzigartigen HTE Beschichtung der Elektrode
  • Kundenspezifische Designs, Kontaktmaterialien und Beschichtungen
  • Vollständig integrierte Produktion und Reinraumverpackung: Individuell oder in Serie gebaut
  • Unlösliche Anoden und Kathoden für mehrere WLP/PLP ECD-Anlagen

PLATINODE® SC PtTi

  • Aus einer Salzschmelze abgeschiedenes Pt auf Ti-Substrat
  • Entwickelt für hohe ASD, vorhersagbare und lange Lebensdauer und höchste Genauigkeit bei der Stromverteilung
  • Pt-Dicke kann gemessen / mit der Lebensdauer korreliert werden 

PLATINODE® SC MMO

  • Entwickelt für niedrigen Organik-Verbrauch
  • Lebenszyklus charakterisiert durch Ende der elektrokatalytischen Funktion und Verschleißrate
  • Die Dicke kann nicht gemessen / mit der Lebensdauer korreliert werden

Kompetente Beratung und technischer Service von Anfang an

Beispielsweise bieten wir im Vorfeld eine umfassende Beratung an. Wir besprechen mit Ihnen die wirtschaftlichen Rahmenbedingungen für eine transparente und auf Ihre Bedürfnisse zugeschnittene Wirtschaftlichkeitsberechnung. Wir klären auch spezifische Details in Ihrem Prozess im Vorfeld, um einen möglichst effizienten Ablauf zu schaffen. Auf dieser Basis sollten Sie in der Lage sein, eine fundierte Entscheidung für oder gegen unsere Produkte zu treffen.

Selbstverständlich stehen wir Ihnen auch nach erfolgreicher Integration der Produkte jederzeit zur Verfügung - auf Wunsch sind wir auch weltweit vor Ort.

Wir freuen uns darauf, mit Ihnen in Kontakt zu treten

Halbleiterprozesse

Dr. Klaus Leyendecker
Bereichsleiter Semiconductor Anwendungen

klaus.leyendecker@eu.umicore.com
Teams Chat starten
+49 7171 607 223 (Büro)
+49 1704 8340 79 (Mobil)

LinkedIn

* Nicht in Europa verfügbar

Zu dieser Seite passende Websiteinhalte

Unsere Vorhaben für die nächsten Jahre

Umicore RISE Strategy 2030